mos管工作原理(MOS自举驱动电路原理)
电机主控中使用的MOS电路基本都是桥式逆变拓扑，目前这类技术资源网络场景中专门使用的驱动芯片很多，基本都集成了内部最关键的驱动主控结构，我们只要按照他们推荐的外围电路搭建就可以完美使用。
电路原理:
如上图所示，Q1和Q2在做高低管工作时，只能接通一根管子，同时接通会导致电源直接对地短路，直接炸掉管子。VS接负载，电压浮动。下管接通时，VS拉至GND，也可认为是负压VN；当上管导通时，VS被拉到DC源的主电压。
驱动MOS管完全导通的电压约为15V，也就是说，MOS管的GS应坚持稳定的15V左右的电压差。由于VS的端电压是浮动的，所以Q1的栅极电压也应该叠加在VS上，并随着VS的变化而变化，这样VGS的电压差就始终稳定，从而可以正常驱动上MOS晶体管。如何坚持这个压差取决于自举电容Cboot和自举二极管Dboot。
电路分析:
当下部晶体管Q2导通时，自举电容器立即被电源电压VDD通过自举二极管充电。
当上驱动管Q1接通时，驱动芯片的内部结构如下图所示。也是一组控制输出驱动的高低MOS管。通过打开上部内部金属氧化物半导体，自举电容器通过它向上部外部驱动管GS供电。关断时，下内部MOS导通，使外部驱动MOS管GS的寄生电容有放电路径，从而达到快速关断的目的。(电阻Rboot用于限制充电周期内的电流，二极管Dboot用于防止上管完全导通时电容通过电源电路放电)
这是所有电路的基本原理，但有两个问题:
1.用于初始化和有限充电的自举电容。
启动时，在某些条件下，自举二极管可能处于反向偏置，上管Q1导通时间不足，自举电容无法坚持所需的电荷，导致驱动能力不足。如图所示，这个问题可以通过在Vdc和自举电阻之间串联一个启动电阻Rstart并在上电时对自举电阻充电来解决。
2.VS端的负压问题
当上管断开时，我们负载电机的线圈中会产生感应电动势，线圈中的电流会阻止电流的下降，所以它会瞬间切换到下管的体二极管上续流。由于寄生电感Ls1和Ls2的存在，VS会感应出负压，为VS=-Ls*di/dt，大小取决于寄生电感Ls。
如果VS的幅度过大，又会出现三个问题。
①自举电容过压；Cboot的压降等于VDD-VS，VS为负压，这意味着负压越大，电容两端的电压差越大。
②当负压超过驱动芯片的极限电压时，芯片也会被破坏。
③上管Q1的Vgs等于VG-VS，因为此时上管关断，所以Vg=0，这意味着VGS的幅度等于VS的绝对值，当这个值超过MOS管的阈值电压时，上管导通，高低管同时导通，管爆裂。
解决方案计划
(1)自举二极管前的限流电阻不宜过大，一般为5-10，用于限制自举电容充电技术资源网络的电流，防止充电过多时电流受损，同时缓解VS端负电压带来的影响。自举电容也可以并联一个齐纳二极管，防止MOS管的浪涌电流破坏技术资源网络，同时使电容两端的电压更加稳定。
②可以在下管Q2的DS之间并联一个低压差的肖特基二极管。上管关断时，VS产生的负压会被夹住，一般管道压降为0.7V VS负压限制在-0.7V..
总结:
1.由于上管的打开需要自举电容放电，为了保证上端的正常切换，需要调整PWM为自举电容预留充电时间。
2.一般最好选择无电感或低电感的自举电容。此外，PCB布局上的充放电电路应尽可能短，以减少布线的寄生管，避免LC振荡。
3.自举二极管Dboot一般考虑导通电流和反向耐受电压。自举二极管用于给自举电容充电。上管导通时，受到与MOS管漏极相同的电压，因此二极管的反向电压大于电源电压。如果VS为负压，则反向耐压大于VP+负压的电压之和。一般选择反向耐压和反向恢复光学性能好的快恢复二极管。